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BGSX24M2U16

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BGSX24M2U16 RF CMOS 开关专为 LTE 和 5G 天线应用而设计。这款双刀四掷 (DP4T) 交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生。 该开关通过 MIPI RFFE 控制接口进行控制。片上控制器允许1.1至1.3V的超低电源电压或1.65至1.95V的标准电源电压。与 GaAs 技术不同,仅当外部施加直流电压时才需要在 RF 端口使用外部直流阻断电容器。该设备尺寸非常小,仅为 2.0 毫米 x 2.0 毫米,厚度为 0.6 毫米。

Infineon英飞凌 BGSX24M2U16 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 高达 39 dBm 输入功率时的高线性度
  • 适用于 5G SRS 应用的快速切换时间(最大 2 µs)
  • 低插入损耗和高达 7.125 GHz 的高端口间隔离度
  • 完全兼容 MIPI 2.1 RFFE 标准,具有 4 个 USID
  • 低电流消耗
  • 1.2V / 1.8 V VIO 支持
  • 软件和硬件可编程 USID
  • 超薄无铅塑料封装(MSL-1,260 °C,符合 IPC/JEDEC J-STD-20 标准)

参数


类型

描述

Pmax

39 dBm

供电电压 范围

1.65 V 至 1.95 V

尺寸

2.0 x 2.0 mm²

开关器件类型

DP4T

控制接口

MIPI 2.1

插入损耗 (@1GHz)

0.43 dB

隔离 (@1GHz)

47 dB

频率范围

0.4 – 7.125 GHz

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