Infineon英飞凌_CY15B201QN-50SXE_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CY15B201QN-50SXE 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

断电后数据可靠保存
超高耐久适合频繁写入
写入无等待高效存储
高速满足严苛应用
SPI标准灵活集成
数据保护安全增强
唯一ID便于追溯
专区耐回流焊
低功耗延长电池寿命
多电源模式降低待机损耗
适应恶劣环境
可替换EEPROM/Flash

特性

1Mb铁电RAM，128K×8结构
10^13次超高耐久读写
85°C下121年数据保存
即时非易失写入无延迟
SPI接口最高50 MHz
支持SPI模式0和3
硬件/软件写保护
设备/唯一ID和序列号
256字节专用扇区
4.3mA有源/3.2µA待机电流
深度掉电/休眠模式
宽VDD：1.8V至3.6 V

参数

类型	描述
密度	1 MBit
工作温度范围	-40 °C 至 125 °C
工作电压范围	1.8 V 至 3.6 V
接口	SPI
目前计划的可用性至少到	2033
系列	Excelon™
组织(X x Y)	128Kb x 8
认证标准	Automotive(E)
频率	50 MHz

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CY15B201QN-50SXE

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特性

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