Infineon英飞凌_CY15V102QSN-108SXIT_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CY15V102QSN-108SXIT 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

频繁快速数据记录更可靠
断电无数据丢失
无写入延迟提升效率
灵活接口适配多控制器
高速SPI实现快速访问
ECC保障数据完整性
防止误写保护数据
支持设备追踪与安全
低功耗延长电池寿命
特殊区适合安全存储

特性

2-Mbit F-RAM，256K × 8结构
100万亿次读写耐久
65°C下151年数据保持
即时非易失性写入无延迟
支持四/双/扩展/单SPI
SPI SDR 108 MHz，DDR 54 MHz
内嵌ECC：1位纠错2位检测
硬件/软件写保护
唯一设备及序列号
低功耗：10 mA工作，0.1 µA休眠
256字节特殊区耐回流

应用

家居和楼宇自动化

参数

类型	描述
密度	2 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压 (VCCQ) 范围	1.71 V 至 1.89 V
工作电压范围	1.71 V 至 1.89 V
引线球表面	Pure Sn
接口	QSPI
目前计划的可用性至少到	2033
系列	Excelon™
组织(X x Y)	256Kb x 8
认证标准	Industrial
速度	0 ns
频率	108 MHz

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CY15V102QSN-108SXIT

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特性

应用

参数

4000-306-326