Infineon英飞凌_S25FL256LAGBHM020_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S25FL256LAGBHM020 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

灵活适配多种主控
DDR提升数据吞吐
大缓存加快编程速度
扇区/块/芯片灵活擦除
频繁更新数据更可靠
长期数据安全存储
防止敏感数据被篡改
防止误写误擦
兼容3 V系统
适应恶劣环境
配置兼容性强
关键操作不中断

特性

SPI支持单/双/四I/O
支持DDR双倍数据率读取
256字节页编程缓存
统一4 KB扇区擦除
最小10万次擦写寿命
最小20年数据保存
安全区及OTP锁定位
深度掉电模式
2.7 V至3.6 V单电源
–40°C至+125°C工作温度
支持SFDP参数配置
支持编程/擦除挂起与恢复

参数

类型	描述
密度	256 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 125 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口带宽	66 MByte/s
接口	Quad SPI
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	133 / -
目前计划的可用性至少到	2032
系列	FL-L
认证标准	Automotive

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S25FL256LAGBHM020

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特性

参数

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