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SAK-TC399XE-256F300S BD

SAK-TC399XE-256F300S BD 属于 TC39x 仿真设备。它具有与 TC39x 标准系列相同的功能集,并具有额外的调试和跟踪功能。TC39xXE 提供校准、快速原型设计、仪器仪表和调试/仿真支持。TC39xXE 基于 TC39x。它可用于模拟: TC39x 标准设备(6 个 CPU) TC38x 标准设备(4 个 CPU) 可以使用 DAS 安装附带的免费 MCDS 跟踪查看器工具评估 MCDS 跟踪 www.infineon.com/DASCompatibility与 TC39x 标准设备完全兼容。对于 TC38x 系统,需要考虑以下几点: 热设计和电源需要支持更高的 TC39xXE 功耗 SW 需要兼容不同的 CHIPID 和 JTAGID 值 TC38x 的上 12 个 ASCLIN 模块(共 24 个)可能无法使用

Infineon英飞凌 SAK-TC399XE-256F300S BD 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 更高的软件/系统质量,更快的上市时间,一流的性能:
  • 多核调试和跟踪
  • 基于跟踪的测量
  • 快速原型设计
  • 校准
  • 强大的 AURIX 1G 兼容性
  • 维护对工具和知识的投资
  • 尽早提供有吸引力的工具解决方案
  • 最大限度地降低风险
  • 从非常经济高效到最高性能的可扩展工具选项
  • 整个系列所有软件包的一致架构
  • 由于两个 DAP 接口,可以实现不同的工具组合
  • 非常经济高效的跟踪

特性


  • 6 TriCore 以 300 MHz 运行
  • 16 MB 闪存/ ECC 保护
  • 6.9 MB SRAM/ ECC 保护(附加 4 MB EMEM)
  • 1 Gbit 以太网、12xCAN FD、2xFlexRay、12xLIN、 4xQSP、2xI²C、25xSENT、6xPSI、2xHSSL、4xMSC、1x eMMC/SDIO、GTM、CCU6、GPT12、HSM
  • LFBGA-516 封装
  • 单电源 5 V 或 3.3 V
  • 温度:40°C 至 125°C
  • 4 MB 扩展内存 (EMEM) 用于校准和跟踪 (2 MB)
  • 多核调试解决方案 (MCDS)
  • 内核和总线的并行和时间对齐跟踪
  • 强大的触发条件
  • 片上逻辑分析仪功能
  • 额外的 DAP 接口 (DAPE) 用于连接第二个独立工具
  • 故障和压力注入器(IFS)
  • Aurora 千兆位跟踪 (AGBT) 支持
  • CPU 可以完全访问所有仿真资源,从而启用所有类型的接口(例如以太网)作为工具连接

应用


汽车车身控制模块 (BCM), 汽车电池管理系统(BMS) - 高电压, 轨交

参数


类型

描述

A/D输入线路

124

ADC模块的数量

12

ASIL/SIL支持

ASIL-D/SIL-3

CAN节点

12

DMA通道

128

DSP功能

Yes

eMMC

Yes

LIN

12

SPI

6

SRAM (包括高速缓存)

6912 kByte

内核数/锁步内核数

6/4

分类

ISO 26262-compliant

外部总线接口

Yes

存储器类型

Flash

实时时钟

Yes

振荡器看门狗

Yes

浮点单元

Yes

温度

-40°C - +125°C

片上时钟生成

Yes

片上电压调节器

Yes

看门狗定时器

Yes

硬件加速器

No

程序存储器

16 MByte

系列

AURIX™ 2G

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 210次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 272次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 264次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 325次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 301次
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