Infineon英飞凌_TLE8880TN2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 TLE8880TN2 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

采用汽车工业标准封装 PG-TO-220-5-12，带直引线，有两种版本：
- 引线镀镍（焊接）
- 引线末端不镀镍（焊接）
经 VDA 和其他领先的 OEM 厂商认证和发布

特性

符合 AEC-Q100 标准
EEPROM 可进行客户特定调整
全数字快速 PI 调节
高端 DMOS，RDS(on) 为 60mΩ @ 25°C，可实现高达 12A 的励磁电流
LIN 1.3（数据链路层）
LIN 2.1（物理层）
25°C 时典型待机电流为 60 µA（典型值）
电池反接保护电压高达 -2.5V
交流发电机 8kV ESD 保护
占空比驱动的励磁绕组励磁电流，范围为 0 至 100%
负载响应控制 (LRC)
温度范围为 -40°C 至 175°C
数字温度补偿

参数

类型	描述
EEPROM可调	Yes
ESD保护	8 kV
RDS (on)	60 mΩ
最高 Tj	175 °C
最高传输速率	19.2 kBit/s
供电电压范围	6 V 至 18 V
可调调节范围范围	10.6 V 至 16 V
封装	Thin tube
待机电流	60µA
接口	LIN 1.3
最大磁场绕组激励电流	12 A
电压测量范围范围	9 V 至 18 V
电压等级	12 V
速度测量	No

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TLE8880TN2

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