Infineon英飞凌_IDWD25G200C5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IDWD25G200C5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高功率密度
提供匹配的 MOSFET
拓扑简化

特性

V_RRM = 2000 V
我_F= 25 A
V_F = 1.5 V
无反向恢复电流
无前向恢复
高浪涌电流承受能力
低正向电压
紧密的正向电压分布
指定的 dv/dt 耐用性
.XT互连技术

应用

电动汽车充电, 光伏

参数

类型	描述
最高 I(FSM)	193 A
最高 IF	25 A
IR	12 µA
最高 Ptot	468 W
QC	224 nC
RthJC	0.25 K/W
VF	1.5 V
封装	PG-TO247-2
认证标准	Industrial

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IDWD25G200C5

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