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STT5000N18P110

晶闸管/晶闸管 110 毫米电源启动 1800 V、5000 A 模块适用于压力接触技术中的软启动应用。STT5000N18P110 满足市场对经济高效且紧凑的半导体解决方案的需求。Power Start 的设计注重降低复杂性和组件数量(长 x 宽 x 高 280x110x167 毫米)。

Infineon英飞凌 STT5000N18P110 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 精简至必要组件
  • 集成散热器
  • 无需导热油脂
  • 热容量与硅耦合
  • 双面冷却

应用


马达控制

参数


类型

描述

Ioverload (21s) [A]

4780

ITSM [A] (@10ms, Tvj max)

38000

rT [mΩ] (@Tvj max)

0.106

最高 RthJA (21s) [W/K ]

0.032

最高 Tvj [°C]

155

VT [V/kA]

1.43/5

VT0 [V] (@Tvj max)

0.9

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)

7220

尺寸 (height)

167 mm

尺寸 (length)

280 mm

尺寸 (width)

110 mm

电压等级

1800 V

联系技术部门

Pressure Contact

配置

W1C

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 333次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 306次
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