Infineon英飞凌_IGC090S18S1_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IGC090S18S1 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

一流的功率密度
高效率
优化的热管理
实现更小、更轻的设计
卓越的可靠性
降低 BOM 成本

特性

175 V e-mode 功率晶体管
双面散热封装
无反向恢复电荷
反向导通能力
低栅极电荷、低输出电荷
符合 JEDEC 标准

应用

USB-C 充电器和适配器, 音频放大器解决方案, 适用于电信基础设施的 DC-DC 电源转换

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	46 A
最高 IDpuls (@25°C)	340 A
QG	8.2 nC
RDS (on) (typ)	6.7 mΩ
最高 VDS	175 V
封装	PQFN
认证标准	Industrial

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IGC090S18S1

IGC090S18S1 是一款 175V 常闭 e 模式功率晶体管，采用小型 PQFN 3x5 封装，可实现高功率密度设计。由于其极低的电压导通电阻，它是高电压和大电流应用中可靠性能的理想选择。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326