Infineon英飞凌_IGC016K10S2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IGC016K10S2 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Space saving and highly robust package
Reduces overall component count
Increased ease-of-use circuit design
Lower BoM cost
Excellent reliability
Highest efficiency

特性

100 V e-mode power transistor
Monolithically integrated Schottky diode
Top-side cooled 3x5 mm package
High power capability
No reverse recovery charge
Ultra-low gate and output charge
Qualfied according to JEDEC
Ultrafast switching
Low reverse conduction voltage
Exposed die for thermal excellene
Moisture rating MSL1

应用

数据中心及 AI 数据中心解决方案, 48 V 中间总线转换器 (IBC), 电信基础设施, 机器人, 马达控制

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	108 A
最高 IDpuls (@25°C)	510 A
QG	16 nC
RDS (on) (typ)	1.3 mΩ
最高 VDS	100 V
封装	PQFN
认证标准	Industrial

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IGC016K10S2

The IGC016K10S2 is a 100 V normally-off e-mode GaN power transistor in a small 3 x 5 mm package with integrated Schottky diode. With this integrated feature, reverse conduction losses are minimized and even higher system efficiencies can be reached.

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特性

应用

参数

4000-306-326