Infineon英飞凌_IGB110S10S1Q_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IGB110S10S1Q 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Best-in-class power density
Highest efficiency
Improved thermal management
Enabling smaller and lighter designs
Excellent reliability
Lowering BOM cost

特性

AEC-Q101 qualified
100 V e-mode power transistor
Dual-side cooled package
No reverse recovery charge
Ultra-low figures of merit

应用

汽车 LED 照明系统, 用于电动汽车的高压 DC-DC 转换器, 人机界面和车载信息娱乐系统

参数

类型	描述
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)	Malaysia
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)	Austria
最高 ID (@25°C)	23 A
最高 IDpuls (@25°C)	210 A
QG	3.4 nC
RDS (on) (typ)	9.4 mΩ
最高 VDS	100 V
封装	PQFN
环保认证	RoHS compliant, Halogen free
认证标准	Automotive

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IGB110S10S1Q

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