Infineon英飞凌_IGI65D1414A3MS_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IGI65D1414A3MS 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

与分立元件相比，元件数量减少了 2 倍
降低成本
减轻重量
降低系统复杂性

特性

超快速切换
无反向恢复电荷
具有反向传导能力
低栅极电荷
低输出电荷
开尔文源连接

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	13.7 A
最高 IDpuls (@25°C)	23 A
QG	1.8 nC
RDS (on) (typ)	140 mΩ
最高 VDS	650 V
封装	QFN-32
环保认证	RoHS compliant, Halogen free
目前计划的可用性至少到	2035
系列	CoolGaN™ Transistor Dual 650 V G5
认证标准	Industrial

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IGI65D1414A3MS

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