Infineon英飞凌_IGB070S10S1_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IGB070S10S1 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

一流的功率密度
最高效率
改进热管理
实现更小、更轻的设计
卓越的可靠性
降低 BOM 成本

特性

100 V e 模式功率晶体管
双面冷却封装
无反向恢复电荷
反向传导能力
低栅极电荷，低输出电荷
符合 JEDEC 标准

应用

音频放大器解决方案, 电信基础设施, 光伏

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	33 A
最高 IDpuls (@25°C)	170 A
QG	6.1 nC
RDS (on) (typ)	5 mΩ
最高 VDS	100 V
封装	PQFN
环保认证	RoHS compliant, Halogen free
目前计划的可用性至少到	2035
系列	CoolGaN™ Transistor 100 V G3
认证标准	Industrial

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IGB070S10S1

IGB070S10S1

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