Infineon英飞凌_IGLD65R080D2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IGLD65R080D2 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

支持高工作频率
实现最高系统效率
实现超高功率密度设计
支持节省 BOM 成本

特性

650 V e-mode 功率晶体管
超快速开关
无反向恢复电荷
具有反向传导能力
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向稳定性
低动态 R_DS(on)
高 ESD 耐受性：2 kV HBM - 1 kV CDM
底部冷却封装
符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)

应用

USB-C 充电器和适配器, 数据中心及 AI 数据中心解决方案, 电信基础设施的 AC-DC 电源转换, 光伏, 开关模式电源（SMPS）

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	18 A
最高 IDpuls (@25°C)	42 A
QG	3.3 nC
最高 RDS (on)	96 mΩ
RDS (on) (typ)	80 mΩ
最高 VDS	650 V
封装	DFN 8x8
环保认证	RoHS compliant, Halogen free
目前计划的可用性至少到	2035
系列	CoolGaN™ Transistor 650 V G5
认证标准	Industrial

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IGLD65R080D2

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