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GS66506T-TR

GS66506T-TR 是一种增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN 的特性允许高电流、高击穿电压和高开关频率。GS66506T-TR 是采用 GaNPX ®封装的顶部冷却晶体管,具有非常低的结到外壳热阻,适用于 ACDC 和 DCDC 转换器、电机驱动器和工业电源等大功率应用。

Infineon英飞凌 GS66506T-TR 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 减轻系统重量
  • 实现更高的工作频率
  • 降低系统成本

特性


  • E 模式 HEMT – 常关
  • 超快开关
  • 无反向恢复电荷
  • 能够反向传导
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向耐用性
  • 符合 JEDEC 标准(JESD47、JESD22)
  • 顶部冷却
  • 零反向恢复损耗
  • 快速、可控的下降和上升时间
  • 符合 RoHS 3(6+4) 要求

应用


多旋翼飞机和无人机, 工业自动化, 低压驱动, 开关模式电源(SMPS), 不间断电源 (UPS)

参数


类型

描述

最高 ID (@25°C)

22.5 A

最高 IDpuls (@25°C)

48 A

QG

4.5 nC

RDS (on) (typ)

67 mΩ

最高 RDS (on)

90 mΩ

最高 VDS

650 V

封装

GaNPX

环保认证

RoHS compliant, Halogen free

认证标准

Industrial

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