Infineon英飞凌_IGI60F5050A1L_产品介绍- 万联芯城

IGI60F5050A1L

IGI60F5050A1L 结合了由两个 500 mΩ (典型值) 组成的半桥功率级。RDS(on)) / 600 V 增强模式 CoolGaN ™ HEMT，带有专用栅极驱动器，采用小型 8 x 8 mm QFN-28 封装。因此，它非常适合利用 CoolGaN ™电源开关的卓越开关行为来支持高密度 AC-DC 充电器和适配器的设计。英飞凌的 CoolGaN ™和相关电源开关提供了非常坚固的栅极结构。当在“导通”状态下由几 mA 的连续栅极电流驱动时，始终可以保证最小导通电阻 RDS(on)，且与温度和参数变化无关。该驱动器利用片上无芯变压器技术（CT）实现信号电平转换至高端。此外，即使对于高于 300 V/ns 的极快开关瞬变，CT 也能保证稳健性。

Infineon英飞凌 IGI60F5050A1L 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

通过 2x 数字 PWM 输入轻松驱动
系统 BOM 成本低
通过简单的 RC 接口实现门路径的完全可配置性
允许短死区时间设置以最大限度地提高系统效率
小型封装，适用于紧凑型系统设计

特性

带有数字输入、电源输出构建模块的隔离数字输入
应用程序可配置的开关行为
快速、高精度且稳定的时序
热增强型 8x8 毫米 QFN-28

应用

工业自动化

参数

类型	描述
最高 ID (@ TA=25°C)	3.3 A
最高 IDpuls (@25°C)	6.4 A
QG	0.58 nC
RDS (on) (typ)	500 mΩ
最高 VDS	600 V
环保认证	RoHS compliant, Halogen free

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