Infineon英飞凌_IGLD60R190D1_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IGLD60R190D1 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

提高系统效率
提高功率密度
实现更高的工作频率
降低系统成本
降低 EMI

特性

E 模式 HEMT – 常闭开关
超快速开关
无反向恢复电荷
能够反向传导
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向耐用性
符合 JEDEC 标准（JESD47、JESD22）
底部冷却

应用

电源适配器和充电器, LED 照明系统设计, 48 V 中间总线转换器 (IBC), 电信基础设施

参数

类型	描述
最高 ID (@ TA=25°C)	10 A
最高 IDpuls (@25°C)	23 A
QG	3.2 nC
RDS (on) (typ)	140 mΩ
最高 VBRDSS	600 V
最高 VDS	600 V
VGS(th) 范围	0.9 V 至 1.6 V
VGS(th)	1.2 V
产品名称	IGLD60R190D1
封装	LSON-8-1
环保认证	RoHS compliant, Halogen free
认证标准	Industrial
语言	SPICE

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IGLD60R190D1

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