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1EDI3040AS

EiceDRIVER™ 1EDI3040AS 采用英飞凌的无芯变压器技术进行加强隔离,非常适合下一代 SiC 和 IGBT 牵引逆变器。 先进的特性,如转换速率控制和反激式控制器(包括即时调节功能),提供了优化方案,以最大限度地提高逆变器的性能和效率。 它是一款符合 ISO26262 ASIL D 标准的配件,符合优化的系统安全理念。

Infineon英飞凌 1EDI3040AS 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 补偿式VDS测量
  • 无传感器SiC结温估算
  • RDS(on)生命周期监控
  • DESAT 检测适用于下一代 SiC
  • 部分负载下逆变器损耗降低
  • 增强模式以减少死区时间
  • 集成回扫功能,节省物料清单
  • 有源的VGS控制来优化RDS(on)
  • 符合ASIL D标准的安全机制
  • 简易FMEDA分析
  • 符合AEC-Q100标准
  • 结构紧凑的 LFDSO-36 细间距封装

特性


  • 适用于IGBT/SiC-MOSFET
  • 集成SPI功能
  • CMTI > 150 V/ns
  • 8 kV 加强绝缘 (DIN VDE)
  • 多电平转换速率控制
  • 分路输出驱动级
  • 闭环反激控制器(2%)
  • 运行时 VCC2 可调性
  • 6通道11位ADC
  • 使用数字滤波器进行 DESAT < 1μs
  • 乘方器件状态监控
  • 符合 ISO26262 ASIL D 标准

参数


类型

描述

关断传播延迟

60 ns

封装

Compact LFDSO-36 fine pitch package

开通传播延迟

60 ns

电压等级

1200 V

系列

EiceDRIVER™ isolated gate driver ICs for EV

认证标准

Automotive

输入Vcc 范围

4.5 V 至 5.5 V

输出电流 (Sink)

20 A

输出电流 (Source)

20 A

通道数

1

配置

High-side

隔离类型

Galvanic isolation – Reinforced

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
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    2026-04-14 277次
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    2026-04-14 265次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 333次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 306次
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