Infineon英飞凌_1EDI3035AS_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 1EDI3035AS 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

预配置，用于驱动最新的 SiC MOSFET
安全文档。辅助系统安全设计
全面的安全功能
在系统级别支持 ASIL D
符合 AEC-Q100 标准
精益包装 (DSO-20)

特性

对于伏的 SiC MOSFET。班级最多 1200 人
CMTI 高达 150 V/ns
8 kV 峰值增强。绝缘 (DIN VDE)
集成升压器（峰值高达 20 A）
集成有源米勒钳位
12 位 ADC
分离输出 TON 和 TOFF
DESAT 保护
配置。分机软关断功能
两侧均有安全输入
ISO 26262 SEooC (安全。

参数

类型	描述
关断传播延迟	60 ns
封装	PG-DSO-20
开通传播延迟	60 ns
电压等级	1200 V
系列	EiceDRIVER™ isolated gate driver ICs for EV
认证标准	Automotive
输入Vcc 范围	3 V 至 5.5 V
输出电流 (Sink)	20 A
输出电流 (Source)	20 A
通道数	1
配置	High-side
隔离类型	Galvanic isolation - Reinforced

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1EDI3035AS

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