Infineon英飞凌_1ED3330MC12M_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 1ED3330MC12M 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

非常适合驱动 SiC 的输出电流
降低电路复杂性
占用空间小，可优化 PCB
快速短路报告
通过 FLT 引脚关闭
紧密延迟匹配，实现低死区时间

特性

集成保护功能
+/-12 A
典型峰值输出电流独立的源输出和接收器输出
35 V 绝对最大输出电压
SiC MOSFET
的 UVLO 快速 DESAT 检测和通知
3.3V 和 5 V 输入电源
高 CMTI >200 kV/us
DSO 300 mil 封装，间距 0.65
小巧节省空间的包装
米勒钳位驱动器

应用

Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, 光伏, 马达控制, 不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
PD输出	654 mW
RDSON_H（典型值）	0.45 Ω
RDSON_L（典型值）	0.25 Ω
RDSON_L（最大值）	0.55 Ω
RthJA	130 K/W
VBS UVLO (Off)	12.15 V
VBS UVLO (On)	14 V
VCC UVLO (Off)	2.5 V
VCC UVLO (On)	3 V
产品名称	1ED3330MC12M
关断传播延迟	70 ns
导通电阻 (RDSON_H)（最大值）	1.05 Ω
封装	PG-DSO-16-33
开通传播延迟	70 ns
电压等级	2300 V
认证标准	Industrial
输入Vcc 范围	3 V 至 5.5 V
输出电流 (Sink)	12 A
输出电流 (Source)	12 A
通道数	1
配置	High-side
隔离类型	Galvanic isolation - Reinforced

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1ED3330MC12M

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