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2ED1321S12M

现货,推荐

EiceDRIVER ™ 1200 V 高侧/低侧栅极驱动器 IC,具有典型的 2.3 A 拉电流、4.6 A 灌电流,采用 DSO-16(300mils)封装,适用于 1200 V SiC MOSFET 和 IGBT 功率器件。2ED1321S12M 基于我们的 SOI 技术,该技术具有出色的坚固性和对 VS 引脚上的负瞬态电压的抗噪能力。由于该器件没有寄生晶闸管结构,因此该设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。

Infineon英飞凌 2ED1321S12M 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 独特的薄膜(SOI)技术
  • 最大。靴子。伏特。(VB 节点)+1225 V
  • 工作电压 < + 1200 V
  • 负 VS 瞬态电压。免疫力
  • 2.3A/4.6 A 峰值输出源/接收器
  • 集成过流保护
  • ± 5% 高精度。参考阈值
  • 关断小于 1 us
  • Integr.超快速自举二极管
  • 死区时间和直通预防。
  • 启用、故障和可编程故障
  • 逻辑操作< -8 V(VS 引脚上)

应用


Ceiling fans, 工业电机驱动和控制, 暖通空调(HVAC), 家用热泵

参数


类型

描述

VBS UVLO (Off)

11.3 V

VBS UVLO (On)

12.2 V

VCC UVLO (Off)

11.3 V

VCC UVLO (On)

12.2 V

产品名称

2ED1321S12M

关断传播延迟

350 ns

开通传播延迟

350 ns

电压等级

1200 V

认证标准

Industrial

最低 输入Vcc

13 V

输出电流 (Source)

2.3 A

输出电流 (Sink)

4.6 A

通道数

2

配置

Low-side, High-side and low-side, High-side

隔离类型

Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)

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