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1EDN7146U

在产

1EDN7146U 是一款单通道栅极驱动器 IC,专门针对驱动英飞凌 CoolGaN ™肖特基栅极 (SG) HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET 进行了优化。该栅极驱动器包含多项关键功能,可通过快速开关晶体管实现高性能系统设计,包括真正差分输入 (TDI)、0.5 A 峰值拉电流和灌电流、有源米勒钳位和自举电压钳位。

Infineon英飞凌 1EDN7146U 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 快速开关转换期间的高端驱动和低端接地反弹抗扰度
  • 通过选择 1EDN71x6x 驱动器系列,无需外部栅极电阻即可优化开关速度
  • 快速开关转换期间的感应导通抗扰度
  • 通过消除死区时间内自举电容的过度充电,实现稳定的自举电压

特性


  • 全差分逻辑输入电路,可避免低侧或高侧操作中的误触发
  • 高共模输入电压范围 (CMR),高侧操作时高达 ± 200 V
  • 高共模压摆率免疫力 (100 V/ns),可在快速开关瞬变期间实现稳健运行
  • 兼容 3.3 V 或 5 V 输入逻辑
  • 0.5拉/灌电流能力
  • 有源米勒钳位,具有 5 A 灌电流能力,可避免感应导通
  • 有源自举钳位
  • 适用于驱动 GaN HEMT 或 Si MOSFET
  • 符合 JEDEC 目标应用要求

参数


类型

描述

VCC UVLO

3.75 V

关断传播延迟

125 ns

封装

PG-TSNP-7

开通传播延迟

125 ns

电压等级

200 V

认证标准

Industrial

输入Vcc 范围

4.2 V 至 11 V

输出电流 (Source)

0.5 A

输出电流 (Sink)

0.5 A

输出电流

0.5 A

通道数

1

配置

High-side, High-side

隔离类型

Non-isolated

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