Infineon英飞凌_AIGB40N65F5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIGB40N65F5 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

采用低 VCEsat 的 TRENCHSTOP ™技术
650V 击穿电压，40A 标称电流
极快的开关速度（高达 150kHz）
符合汽车标准
最高结温 175 °C
最高效率，低传导损耗
极低的开关损耗
极低的结温和外壳温度
SMD D2PAK 封装，组装成本低
极其坚固耐用

参数

类型	描述
Eon	0.39 mJ
最高 IC (@ 100°)	46 A
最高 Ptot	250 W
QGate	90 nC
td(off)	166 ns
td(on)	22 ns
tf	6 ns
tr	13 ns
最高 VCE	650 V
VCE	1.6 V
可回流焊接	Yes
封装	D2PAK (TO-263-3)
开关频率	15-120 kHz
技术	IGBT TRENCHSTOP™ 5
推出年份	2019
最高电压等级	650 V
目前计划的可用性至少到	2033
类型	IGBT

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AIGB40N65F5

特性

参数

4000-306-326