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TLD2131-3EP

现货,推荐

TLD2131-3EP 设计用于控制电流高达 80 mA 的 LED。在典型的汽车应用中,如果不受整体系统热性能的限制,该设备能够驱动每链 3 个红色 LED(总共 9 个 LED),电流高达 60 mA 甚至更高。实际上,输出电流由外部电阻器或参考源控制,与负载和电源电压变化无关。

Infineon英飞凌 TLD2131-3EP 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 三通道器件,集成
  • 每通道高输出电流(高达 80mA)
  • 睡眠模式下低电流消耗
  • 通道“关闭”时低输出泄漏
  • 故障期间低电流消耗
  • LITIX ™支持的附加输出
  • 智能故障管理:最多 16 个
  • 极性保护允许减少
  • 过载保护
  • 宽温度范围:-40°C<150°C
  • 通过低功率电阻器进行电流控制

应用


多用途相机, 汽车 LED 照明系统

参数


类型

描述

Iq

0.1 µA

PWM

Yes

PWM引擎

No

VQ (多个)

40.0 V

VS 范围

5.5 V 至 40 V

产品类别

Automotive Lighting ICs

公差

5%

功率卸载

No

单LED短路检测

Yes

工作温度 范围

-40 °C 至 150 °C

并行输出电流

240 mA

打开负载检测

Yes

拓扑结构

Linear

控制输入

1

每个通道的输出电流 范围

5 mA 至 80 mA

目前计划的可用性至少到

2038

短接地检测

Yes

短路保护

Yes

系列

LITIX™ Basic+

语言

SPICE

输出通道

3

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
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  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 331次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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