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Infineon英飞凌 IPG20N04S4-12 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 显著节省 PCB 面积
- 降低系统级成本
- 键合线长度为 200um，最大电流为 20A
- 更大的源引线用于引线键合
- 封装：PG-TDSON-8-4
- 性能与 DPAK 相同，芯片尺寸相同
- 用于热传递的裸露焊盘
- 2 个 N 沟道 MOSFET；隔离引线框架
特性
- 双 N 通道正常电平增强模式
- 符合汽车 AEC Q101 标准
- MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
- 工作温度为 175°C
- 绿色产品（符合 RoHS 标准）
- 100% Avalanche 测试
- 支持 PPAP 的设备
- Dual Super S08 替代 DPAK
应用
门控模块, 汽车仪表盘, 工业自动化
参数
类型 | 描述 |
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change) | China, Malaysia |
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change) | Malaysia |
最高 ID (@25°C) | 20 A |
最高 IDpuls | 80 A |
最高 Ptot | 41 W |
QG (typ @10V) | 14 nC |
最高 QG (typ @10V) | 18 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 12.2 mΩ |
最高 RthJC | 3.7 K/W |
最高 VDS | 40 V |
VGS(th) 范围 | 2 V 至 4 V |
VGS(th) | 3 V |
封装 | dual SS08 (PG-TDSON-8) |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | OptiMOS™T2 |
推出年份 | 2011 |
极性 | N+N |
目前计划的可用性至少到 | 2030 |
认证标准 | Automotive |
预算价格€/1k | 0.34 |
