Infineon英飞凌_IRFH4253D_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRFH4253D 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

符合 RoHS 规定
合格的工业
合格的 MSL1
双 N 沟道 MOSFET
控制和同步 MOSFET 集成在一个封装中
低充电控制MOSFET
低导通电阻同步 MOSFET
Q2 上的低正向电压本征肖特基二极管
FastIRFET ™

参数

类型	描述
最高 ID	64 A, 145 A
最高 IDpuls	120 A, 580 A
最高 Ptot	31 W, 50 W
Qgd	12 nC, 3.8 nC
QG	10 nC, 31 nC
最高 RDS (on) (@4.5V)	1.45 mΩ, 4.6 mΩ
最高 RDS (on)	1.1 mΩ, 3.2 mΩ
最高 RthJA	38 K/W, 34 K/W
最低 Tj	-55 °C
最高 VDS	25 V, 25 V
最高 VGS	20 V
封装	PowerStage 5x6 (TISON-8)
最低工作温度	-55 °C
极性	N+N
湿度敏感等级	1
特殊功能	Logic Level, Schottky (includes Schottky like and FETky)

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