Infineon英飞凌_IRF7105_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF7105 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

符合 RoHS 规定
低 RDS(on)
动态 dv/dt 额定值
快速切换
双 N 和 P 沟道 MOSFET

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	-2.3 A, 3.5 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2 W
Qgd (typ)	3.1 nC, 2.8 nC
QG (typ @10V)	10 nC, 9.4 nC
最高 RDS (on) (@10V)	250 mΩ, 100 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	400 mΩ, 160 mΩ
最高 RthJA	62.5 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	-25 V, 25 V
VGS(th) 范围	1 V 至 3 V, -1 V 至 -3 V
最高 VGS	20 V
封装	SO-8
极性	N+P
湿度敏感等级	1
预算价格€/1k	0.23

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IRF7105

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