Infineon英飞凌_ISZ330N12LM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISZ330N12LM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

极低的导通电阻
极低的反向恢复电荷
出色的栅极电荷 x R_DS(on)
高雪崩能量额定值
175°C 结温额定值
无铅电镀
符合 RoHS 标准
无卤素
MSL1 级别

特性

特性：R_{DS(on) 提升 58%}
FOMg 提升高达 66%
Qrr 提升高达 90%
FOMoss 提升高达 35%

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	24 A
最高 IDpuls	96 A
最高 Ptot	43 W
QG (typ @4.5V)	3.6 nC
QG (typ @10V)	6.8 nC
最高 RDS (on) (@10V)	33 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	44.6 mΩ
最高 VDS	120 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2.2 V
VGS(th)	1.7 V
封装	PQFN 3.3 x 3.3
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level
蓄电池电压	48-72 V
预算价格€/1k	0.36

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ISZ330N12LM6

这是采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装的逻辑电平 120 V MOSFET，导通电阻为 33 mOhm。ISZ330N12LM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

产品详情

特性

参数

4000-306-326