Infineon英飞凌_IPB068N20NM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB068N20NM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

低传导损耗
低开关损耗
运行稳定，EMI 得到改善
并联需求减少
并联时电流共享效果更佳
符合 RoHS 标准，无铅
根据 J-STD-020 分类为 MSL 1

特性

与 OptiMOS ™ 3 200 V 相比，新技术可实现：
R_{DS(on) 降低 42 %}
出色的 EMI 和开关行为，原因在于：li>
Q_RR(typ) 降低
45% Q_OSS(typ)
降低 42% 二极管软化 3 倍以上改善电容线性度
紧密的 V_{GS(th) 和低跨导，易于并联}
改善 SOA 以增强稳健性

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	134 A
QG (typ @10V)	73 nC
最高 RDS (on) (@10V)	6.8 mΩ
最高 VDS	200 V
VGS(th) 范围	3 V 至 4.5 V
VGS(th)	3.7 V
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	3.25

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