Infineon英飞凌_BSB056N10NN3 G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSB056N10NN3 G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

环保
提高效率
最高功率密度
所需并联更少
最小的电路板空间消耗

易于设计的产品23

特性

卓越的开关性能
全球最低的 R _DS(on)
低 Q _g 和 Q _gd
卓越的栅极电荷
符合 RoHS 标准 - 无卤素
MSL1 级

参数

类型	描述
Ciss	4100 pF
Coss	750 pF
最高 ID (@25°C)	83 A
最高 IDpuls	332 A
最高 Ptot	78 W
QG (typ @10V)	56 nC
最高 RDS (on) (@10V)	5.6 mΩ
Rth	1.6 K/W
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2 V 至 3.5 V
VGS(th)	2.7 V
封装	DirectFET (M)
工作温度范围	-40 °C 至 150 °C
微型模板	IRF66MN-25
极性	N
预算价格€/1k	1.11, 1.11

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BSB056N10NN3 G

英飞凌的 100V OptiMOS ™功率 MOSFET 为高效率、高功率密度 SMPS 提供了卓越的解决方案。与第二好的技术相比，该系列的 R DS(on) 和 FOM (品质因数) 均降低了 30%。

产品详情

特性

参数

4000-306-326