Infineon英飞凌_IPP023N10N5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPP023N10N5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最高系统效率
降低开关和传导损耗
减少并联需求
提高功率密度
低电压过冲

特性

针对同步整流进行了优化
非常适合高开关频率
输出电容减少 44%
与上一代产品相比，RDS(on) 降低 43%

应用

Battery energy storage (BESS), DIN 导轨电源解决方案, 不间断电源 (UPS), 离线式 UPS — 高频变压器

参数

类型	描述
Ciss	12000 pF
Coss	1810 pF
最高 ID (@25°C)	120 A
最高 IDpuls	480 A
最高 Ptot	375 W
QG (typ @10V)	168 nC
最高 RDS (on) (@10V)	2.3 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	0.4 K/W
Rth	0.4 K/W
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.8 V
VGS(th)	3 V
安装	TMT
封装	TO-220
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	3 Pins
极性	N
预算价格€/1k	1.92, 1.92

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IPP023N10N5

Infineon 的 80 V/100 V OptiMOS™ 5 工业功率 MOSFET 被设计用于电信和服务器电源的同步整流；它们也是太阳能、低压驱动和笔记本电脑适配器等其他应用的理想选择。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326