Infineon英飞凌_IQE008N03LM5SC_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQE008N03LM5SC 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高功率密度和性能
卓越的热性能
高效的空间利用布局
简化的 MOSFET 并联
改善 PCB 损耗
减少寄生效应

特性

R_DS(on) 大幅降低，最高可达 30%
与 PQFN 封装相比，R_thJC 有所改进
标准和中心栅极封装
全新、优化的布局可能性

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	252 A
最高 IDpuls	1008 A
QG (typ @4.5V)	30 nC
QG (typ @10V)	64 nC
最高 RDS (on) (@10V)	0.85 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	1 mΩ
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2 V
VGS(th)	1.6 V
封装	PQFN 3.3x3.3 Source-Down
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level
预算价格€/1k	0.87

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IQE008N03LM5SC

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