Infineon英飞凌_BSC0904NSI_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSC0904NSI 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

延长电池寿命
改进的 EMI 使得外部缓冲器不再需要
节省成本
节省空间
降低功率损耗

特性

超低栅极和输出电荷
最低导通电阻
易于设计

应用

高性能驾驶舱控制器

参数

类型	描述
Ciss	1100 pF
Coss	460 pF
最高 ID (@25°C)	78 A
最高 IDpuls	312 A
最高 Ptot	37 W
QG (typ @10V)	17 nC
QG (typ @4.5V)	8.5 nC
最高 RDS (on) (@10V)	3.7 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	5.2 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	5.2 mΩ
Rth	3.4 K/W
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1 V 至 2.2 V
VGS(th)	1.85 V
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
特殊功能	Monolithically Integrated Schottky-like Diode
预算价格€/1k	0.23

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BSC0904NSI

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