Infineon英飞凌_IPB054N08N3 G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB054N08N3 G 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

针对 DC-DC 转换器进行了优化
出色的栅极电荷
卓越的热阻
双面冷却
低寄生电感
薄型 (<0.7mm)
N 沟道，正常电平
100% 雪崩测试
无铅电镀；符合 RoHS 标准

参数

类型	描述
Ciss	3570 pF
Coss	963 pF
最高 ID (@25°C)	80 A
最高 IDpuls	320 A
最高 Ptot	150 W
QG (typ @10V)	52 nC
最高 RDS (on) (@10V)	5.4 mΩ
最高 RthJC	1 K/W
Rth	1 K/W
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	2 V 至 3.5 V
VGS(th)	2.8 V
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	0.56

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IPB054N08N3 G

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特性

参数

4000-306-326