Infineon英飞凌_AIMBF170R1K0M1_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIMBF170R1K0M1 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Reduced switching losses
Efficiency improvement
Cooling effort reduction
0V turn-off for optimized BOM

特性

Optimized for flyback topologies
Sense (Kelvin) source pin
Vgs 0V/20V for unipolar driving
SMD package
Diffusion soldering die attach

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	7.4 A
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	540 mΩ
最高 VDS	1700 V
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
技术	CoolSiC™ G1
极性	N
认证标准	Automotive

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AIMBF170R1K0M1

Infineon introduce the new Automotive CoolSiC™ MOSFET 1700 V, enabling new flyback topologies for aux power supplies and DCDC converters . Our SiC Trench MOSFET technology offers a 0V/20V gate-source voltage driving, compatible with most of the flyback controllers for automotive applications.

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特性

参数

4000-306-326