Infineon英飞凌_IMDQ75R020M2H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IMDQ75R020M2H 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

增强的鲁棒性和可靠性
硬开关效率更高
更高的开关频率
更好的抗寄生导通干扰能力
一流的散热性能
更低的开关损耗

特性

100% 雪崩测试
同类最佳的 R_DS(on) _{xQ fr}
卓越的 R_DS(on) xQ_oss_{& R DS(on)} xQ_G
独特的低 C_rss/Ciss & 高 V_GS(th)
改进的 .XT
封装互连提供驱动源极管脚

应用

电池化成和测试, Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, Solid-state circuit breaker (SSCB), 电信基础设施的 AC-DC 电源转换, 光伏, 不间断电源 (UPS), 服务器电源解决方案

参数

类型	描述
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)	26 mΩ
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	20 mΩ
最高 RthJC	0.44 K/W
最高 VDS	750 V
安装	SMT
封装	Q-DPAK
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
技术	CoolSiC™ G2
极性	N
认证标准	Industrial

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IMDQ75R020M2H

750 V G2 CoolSiC™ MOSFET 具有更优的开关性能、更低的损耗和更强的散热管理能力。与第一代产品相比，开关速度提高了 25%，品质因数提高了 35%，它为汽车应用提供了更高效、更紧凑、更可靠的系统。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326