Infineon英飞凌_IMYR140R019M2H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IMYR140R019M2H 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

提高功率密度
提高系统输出功率
提高整体效率
抵御瞬时过载的鲁棒性
抵御雪崩条件的鲁棒性
对抗米勒效应的鲁棒性
系统设计简便
轻松并行

特性

VDSS = 1400 V，Tvj = 25°C
IDDC = 188 A，TC = 100°C
RDS(on)= 5.8 mΩ，VGS= 18 V，Tvj= 25°C
极低的开关损耗
封装背面 3x 可回流焊接
过载运行最高可达 Tvj = 200°C
短路耐受时间 2 µs
基准栅极阈值电压 4.2 V
具有抗寄生开启能力
坚固的体二极管，适用于硬换向
.XT互连技术
采用宽电源引脚 (2 毫米) 的封装

应用

Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, 通用电机驱动器, 光伏

参数

类型	描述
Ciss	2860 pF
Coss	99 pF
最高 ID (@25°C)	100 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	385 W
Qgd	18 nC
QG	90 nC
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	19 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	0.39 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	1400 V
安装	THT
封装	PG-TO247-4-U08
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	4 Pins
技术	CoolSiC™ G2
极性	N
认证标准	Industrial

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IMYR140R019M2H

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特性

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4000-306-326