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Infineon英飞凌 IMDQ75R007M2H 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 增强稳健性和可靠性
- 硬开关效率卓越
- 更高的开关频率
- 抗寄生开启的鲁棒性
- 一流的散热性能
- 降低开关损耗
特性
- 100% 雪崩测试
- 同类最佳的 RDS(on) x Qfr
- 优秀 RDS(on) x Qoss & RDS(on) x QG
- 独特的低 Crss/Ciss 和高 VGS(th)
- 改进了与 .XT 的封装互连
- 驱动器源引脚可用
应用
电池化成和测试, Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, Solid-state circuit breaker (SSCB), 电信基础设施的 AC-DC 电源转换, 光伏, 不间断电源 (UPS), 服务器电源解决方案
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 222 A |
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 9 mΩ |
RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 7 mΩ |
最高 RthJC | 0.19 K/W |
最高 VDS | 750 V |
安装 | SMT |
封装 | Q-DPAK |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | CoolSiC™ G2 |
极性 | N |
认证标准 | Industrial |
