Infineon英飞凌_IMSQ120R026M2HH_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IMSQ120R026M2HH 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更高的功率密度
实现自动化组装
所需设计不太复杂
与 BSC 相比，热性能更出色
改善系统功率损耗
使用 PD 2 实现 950 V 的 VRMS
降低 TCO 成本或 BOM 成本

特性

V_DSS = 1200 V，T_vj = 25°C
I_DDC = 59 A at T_C = 100°C
R_DS(on) = 25 mΩ，V_GS = 18 V，T_vj = 25°C
极低的开关损耗
过载运行最高可达 T_vj= 200°C
短路耐受时间 2 µs
基准栅极阈值电压 4.2 V
具有抗寄生开启能力
坚固的体二极管，适用于硬换向
.XT互联技术

应用

电动汽车充电, 通用电机驱动器, 伺服电机驱动和控制, 光伏, 线上 UPS

参数

类型	描述
Ciss	1990 pF
Coss	85 pF
最高 ID (@25°C)	69 A
最高 Ptot	289 W
Qgd	16 nC
QG	60 nC
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	25 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	0.52 K/W
最高 Tj	200 °C
最高 VDS	1200 V
安装	SMD
封装	PG-HDSOP-16
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	4 Pins
技术	CoolSiC™ G2
极性	N
认证标准	Industrial

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IMSQ120R026M2HH

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4000-306-326