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Infineon英飞凌 IMBG40R025M2H 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 系统效率高
- 高功率密度设计
- 高设计稳健性
- 降低 EMI 滤波
- 用于硬开关拓扑
特性
- 与 650 V SiC MOSFET 相比，FOM 更佳
- 具有低 Qfr 的快速换向稳健二极管
- 低 RDS(on) 温度依赖性
- 栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
- 支持单极驱动 (VGSoff=0)
- 100% 雪崩测试
- 开关速度可控性高
- 高 dV/dt 操作期间过冲较低
- .XT互连技术
- 一流的热性能
应用
音频放大器解决方案, 可再生能源, 电池管理系统（BMS）, 马达控制, 服务器电源解决方案
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 68 A |
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 33 mΩ |
RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 25 mΩ |
最高 RthJC | 0.7 K/W |
最高 VDS | 400 V |
安装 | SMT |
封装 | PG-TO263-7 |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | CoolSiC™ G2 |
极性 | N |
认证标准 | Industrial |
