Infineon英飞凌_AIMDQ75R060M2H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIMDQ75R060M2H 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

增强稳健性和可靠性
硬开关效率卓越
更高的开关频率
抗寄生开启的鲁棒性
一流的散热性能
降低开关损耗

特性

100% 雪崩测试
同类最佳的 R_DS(on) x Q_fr
优秀 R_DS(on) x Q_oss & R_DS(on) x Q_G
独特的低 C_rss/Ciss 和高 V_GS(th)
改进了与 .XT 的封装互连
驱动器源引脚可用

应用

汽车电池保护和断开连接, 用于电动汽车的高压 DC-DC 转换器, 车载充电器（OBC）

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	30 A
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)	78 mΩ
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	60 mΩ
最高 RthJC	1.17 K/W
最高 VDS	750 V
安装	SMT
封装	Q-DPAK
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
技术	CoolSiC™ G2
极性	N
认证标准	Automotive

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AIMDQ75R060M2H

CoolSiC ™汽车 MOSFET 750 V 第二代具有更好的开关性能、更低的损耗和增强的热管理。与第一代相比，其开关速度提高了 25%，品质因数提高了 35%，为汽车应用提供了更高效、更紧凑、更可靠的系统。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326