Infineon英飞凌_IMZA75R008M1H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IMZA75R008M1H 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

硬开关效率卓越
实现更高的开关频率
更高的可靠性
可承受超过 500 V 的总线电压
抗寄生转弯的鲁棒性
单极驱动

特性

高度稳健的 750 V 技术
一流的 R_DS(on) x Q_fr
出色的 R_on x Q_oss 和 R_on x Q_G
低 C_rss/C_iss 和高 V_GSth
100% 雪崩测试
.XT 互连技术，实现一流的热性能

应用

Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, 电信基础设施的 AC-DC 电源转换, 单相串联逆变器解决方案, 服务器电源解决方案

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	163 A
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)	11 mΩ
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	8 mΩ
最高 VDS	750 V
安装	THT
封装	TO247 4-pin (asymmetric leads)
工作温度范围	55 °C 至 175 °C
技术	CoolSiC™ G1
极性	N
认证标准	Industrial

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IMZA75R008M1H

CoolSiC ™ MOSFET 750 V G1 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，具有栅极驱动灵活性，可实现简化且经济高效的系统设计，从而实现最高的效率和功率密度。

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特性

应用

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4000-306-326