Infineon英飞凌_AIMZA75R040M1H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIMZA75R040M1H 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

硬开关效率卓越
支持更高的开关频率
可靠性更高
可承受超过 500 V 的总线电压
抗寄生匝数效应
单极驱动

特性

高度稳健的 750 V 技术
一流的 R_DS(on) x Q_fr
卓越的 R_on x Q_oss 和 R_on x Q_G
低 C_rss/C_iss 组合和高 V_GSth
100% 雪崩测试
英飞凌芯片贴装技术

应用

用于电动汽车的高压 DC-DC 转换器, 车载充电器（OBC）

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	44 A
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)	52 mΩ
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	40 mΩ
最高 VDS	750 V
安装	THT
封装	TO247 4-pin (asymmetric leads)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
技术	CoolSiC™ G1
极性	N
认证标准	Automotive

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AIMZA75R040M1H

CoolSiC ™ MOSFET 750 V G1 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，具有栅极驱动灵活性，可实现简化且经济高效的系统设计，从而实现最高的效率和功率密度。

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特性

应用

参数

4000-306-326