Infineon英飞凌_IMBG120R026M2H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IMBG120R026M2H 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更高的能源效率
冷却优化
更高的功率密度
新的稳健性特性
高度可靠

特性

VGS = 18 V、Tvj = 25°C 时，R_DS(on) = 25.4 mΩ
极低的开关损耗
过载工作温度高达 Tvj = 200°C
短路耐受时间 2 µs
基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.2 V
具有抗寄生导通能力，可施加 0 V 关断栅极电压
坚固的体二极管，适用于硬换向
.XT 互连技术，实现一流的热性能

应用

电动汽车充电, 工业电机驱动和控制, 光伏, 不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
Ciss	1990 pF
Coss	85 pF
ID (@ TC=25°C)	75 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	335 W
Qgd	16.2 nC
QG	60 nC
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	25.4 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	0.44 K/W
最高 Tj	200 °C
最高 VDS	1200 V
安装	SMD
封装	TO-263-7
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	7 Pins
技术	CoolSiC™ G2
极性	N
认证标准	Industrial

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IMBG120R026M2H

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特性

应用

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4000-306-326