Infineon英飞凌_AIMZH120R160M1T_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIMZH120R160M1T 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

提高效率
实现更高的频率
提高功率密度
减少冷却工作量
降低系统复杂性和成本

特性

极低的开关损耗
更高的开启电压 VGS(on)= 20 V
同类最佳的开关能量
最低的器件电容
低 Crss/Ciss 比和高 VGS(th)，可避免寄生开启
降低总栅极电荷 QGtot，从而降低驱动功率和损耗
.XT 芯片贴装技术，实现同类最佳的热性能
感测引脚，可优化开关性能
适合高压爬电距离要求
更细的引线，可降低焊桥风险

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	17 A
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	160 mΩ
最高 VDS	1200 V
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
技术	CoolSiC™ G1
推出年份	2023
极性	N
目前计划的可用性至少到	2033
认证标准	Automotive

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AIMZH120R160M1T

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