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Infineon英飞凌 IMDQ75R140M1H 产品介绍
2026-04-14
0次
产品详情
- 硬开关效率卓越
- 支持更高的开关频率
- 更高的可靠性
- 可承受超过 500 V 的总线电压
- 抗寄生匝数效应的稳健性
- 单极驱动
- 一流的散热性能
特性
- 高度稳健的 750 V 技术
- 一流的 RDS(on)x Qfr
- 卓越的 Ronx Qoss 和 Ronx QG
- 低 Crss/Ciss 和高 Vgsth
- 100% 雪崩测试
- 英飞凌芯片贴装技术
- 尖端顶部冷却封装
应用
Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, Solid-state circuit breaker (SSCB), 电信基础设施的 AC-DC 电源转换, 单相串联逆变器解决方案, 不间断电源 (UPS), 服务器电源解决方案
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 17 A |
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 191 mΩ |
RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 140 mΩ |
最高 VDS | 750 V |
安装 | SMT |
封装 | Q-DPAK |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | CoolSiC™ G1 |
极性 | N |
认证标准 | Industrial |
