Infineon英飞凌_IMT65R048M1H_产品介绍- 万联芯城

IMT65R048M1H

采用 TOLL 封装的 CoolSIC ™ MOSFET 650 V、48 mΩ 利用英飞凌 SiC 技术的优势，实现更高密度的设计和更高的开关频率操作。TOLL 的小尺寸和低寄生特性使其能够高效且有效地利用电路板空间，并且能够以更高的频率驱动 MOSFET，从而达到更高的功率密度。TOLL 封装中提供的 CoolSIC ™ MOSFET 650 V、48 mΩ 与 CoolMOS ™和 CoolGaN ™ TOLL 可用性相辅相成，使其成为众多系统具有吸引力的一站式服务选择。与 D²PAK 相比，热阻抗的降低，加上创新的 .XT 互连，使 48 mΩ 产品适用于高功率设计和中功率系统，具有高效率目标。它非常适合高功率到中功率系统中新兴的图腾柱 PFC 拓扑。它还能提高高功率至中功率系统的 DC-DC 和 AC-DC 级的效率和密度。

Infineon英飞凌 IMT65R048M1H 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

硬开关效率更高
软开关效率更高
体二极管硬换流
高可靠性
开尔文源
开尔文源

特性

第一代 CoolSiC ™
栅极电荷低
C_OSS中存储能量低
Q_rr
平坦 C_OSS
平坦 R_DS(on) 随温度变化

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	99 A
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)	63 mΩ
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	48 mΩ
最高 VDS	650 V
安装	SMT
封装	TOLL
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
技术	CoolSiC™ G1
极性	N
认证标准	Industrial

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