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IMZA120R030M1H

在产

采用 TO-247-4 封装的 CoolSiC ™ 1200 V、30 mΩ SiC MOSFET 采用最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。与 IGBT 和 MOSFET 等传统硅基开关相比,SiC 功率 MOSFET 具有一系列优势。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。CoolSiC™ MOSFET 单管非常适合硬开关和谐振开关拓扑,如功率因数校正(PFC)电路、双向拓扑以及 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器。/>我们的 TO-247 4 针封装 SiC MOSFET 减少了寄生源电感对栅极电路的影响,从而实现了更快的开关和更高的效率。

Infineon英飞凌 IMZA120R030M1H 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 同类最佳的开关损耗
  • 同类最佳的传导损耗
  • 基准高阈值电压
  • Vth > 4 V
可应用0V关断栅极电压
  • 宽栅极-源极电压范围
  • 用于硬换向的坚固二极管
  • 温度。印第安纳州关断开关损耗
  • .XT互连技术

  • 应用


    电池化成和测试, 电动汽车充电, 光伏, 马达控制, 开关模式电源(SMPS)

    参数


    类型

    描述

    Ciss

    2160 pF

    Coss

    99 pF

    最高 ID (@25°C)

    70 A

    最高 Ptot (@ TA=25°C)

    273 W

    Qgd

    15 nC

    QG

    52 nC

    RDS (on) (@ Tj = 25°C)

    30 mΩ

    最高 RthJA

    62 K/W

    最高 RthJC

    0.55 K/W

    最高 Tj

    175 °C

    最高 VDS

    1200 V

    安装

    THT

    封装

    TO-247-4

    工作温度 范围

    -55 °C 至 175 °C

    引脚数量

    4 Pins

    技术

    CoolSiC™ G1

    极性

    N

    认证标准

    Industrial

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    2026-04-14 211次
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    2026-04-14 277次
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    2026-04-14 265次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 332次
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    2026-04-14 304次
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