Infineon英飞凌_IMYH200R075M1H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IMYH200R075M1H 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

V_DSS= 2000 V，适用于高直流母线
高达 1500 V_DC
极低的开关损耗
基准栅极阈值电压
V_GS(th)= 4.5 V
用于硬换向的坚固二极管
.XT 互连技术
提高了湿度耐受性
创新的 HCC 封装，具有
14 mm 爬电距离
5.5 mm 电气间隙

应用

Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, 光伏

参数

类型	描述
Ciss	1600 pF
Coss	53 pF
最高 ID (@25°C)	34 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	267 W
Qgd	7.3 nC
QG	64 nC
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	75 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	0.56 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	2000 V
安装	THT
封装	PG-TO247-4-PLUS-NT14
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	4 Pins
技术	CoolSiC™ G1
极性	N
认证标准	Industrial

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IMYH200R075M1H

特性

应用

参数

4000-306-326