Infineon英飞凌_IMBG120R030M1H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IMBG120R030M1H 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

极低的开关损耗
短路耐受时间：3 µs
完全可控的 dV/dt
基准栅极阈值电压
V_GS(th)= 4.5 V
具有抗寄生导通能力
可在 0V 栅极关断电压下使用
用于硬换向的坚固二极管
.XT 互连技术
封装爬电距离 > 6.1 mm
电气间隙 > 6.1 mm
用于优化开关的感测引脚

应用

电动汽车充电, DIN 导轨电源解决方案, 工业电机驱动和控制, 48 V 中间总线转换器 (IBC), 光伏, 单相串联逆变器解决方案, 开关模式电源（SMPS）, 不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
Ciss	2290 pF
Coss	105 pF
最高 ID (@25°C)	56 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	300 W
Qgd	15 nC
QG	63 nC
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	30 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	0.5 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	1200 V
安装	SMD
封装	TO-263-7
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	7 Pins
技术	CoolSiC™ G1
极性	N
认证标准	Industrial

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IMBG120R030M1H

特性

应用

参数

4000-306-326